تجزیه و تحلیل اثر کر مغناطیسی: KMPL-PM برای تکنولوژی میکرو مغناطیسی

توضیحات محصول:

میکروسکوپ کر یک ابزار بسیار تخصصی است که برای تحقیقات پیشرفته میدان مغناطیسی و توصیف مواد طراحی شده است.که آن را به یک ابزار ضروری برای دانشمندان و مهندسان در زمینه های مغناطیس و علوم موادیکی از ویژگی های برجسته این میکروسکوپ ثبات دمایی قابل توجه آن است، که کنترل فوق العاده ظریف را در حدود ±50 میلی کلوین (MK) حفظ می کند.این تنظیم حرارتی دقیق تضمین می کند شرایط اندازه گیری سازگار، که برای به دست آوردن نتایج قابل اعتماد و قابل تکرار در آزمایش های حساس بسیار مهم است.

مجهز به قابلیت های میدان مغناطیسی عمودی و درون هواپیما، میکروسکوپ کر از طیف گسترده ای از تنظیمات تجربی پشتیبانی می کند.میدان مغناطیسی عمودی توسط یک آهنربا خنک شده با آب تولید می شود که قادر به تولید شدت میدان قوی 2 تسلا در 8.5 میلی متر فاصله هوا، و 1.3 تسلا در فاصله 12 میلی متر. این پیکربندی برای آزمایش میدان مغناطیسی قوی ایده آل است،اجازه می دهد تا محققان به بررسی پدیده های مغناطیسی تحت قدرت میدان بالا با کنترل فضایی عالیبه علاوه، سیستم میدان مغناطیسی داخل هواپیما از یک آهنربا خنک شده با آب استفاده می کند و تا 3 تسلا در یک فاصله هوا 5 میلی متر و 2 تسلا در یک فاصله هوا 10 میلی متر تولید می کند.این گزینه های میدان مغناطیسی قوی، انعطاف پذیری و قدرت را فراهم می کند.، که امکان مطالعه جامع مواد مغناطیسی را تحت جهت گیری های مختلف میدان و بزرگی ها فراهم می کند.

سیستم نوری میکروسکوپ کر برای ارائه عملکرد تصویربرداری برتر طراحی شده است. این سیستم دارای طیف وسیعی از لنزهای با کیفیت بالا از جمله 5 *، 20 *، 50 * و 100 * است.علاوه بر اینیک هدف 50* با تعویض درجه حرارت بالا وجود دارد که برای حفظ وضوح و دقت نوری در شرایط دمای بالا طراحی شده است.که به ویژه در آزمایشاتی که شامل تغییرات حرارتی است مفید است.تمام هدف ها غیر مغناطیسی هستند تا از تداخل در اندازه گیری میدان مغناطیسی جلوگیری شود و اطمینان حاصل شود که عملکرد نوری میکروسکوپ توسط تأثیرات مغناطیسی خارجی به خطر نمی افتد.

با وضوح نوری ۴۵۰ نانومتر، میکروسکوپ کر تصاویر بسیار دقیق را ارائه می دهد.اجازه می دهد تا محققان با وضوح استثنایی ساختار دامنه مغناطیسی و سایر خواص مغناطیسی در مقیاس کوچک را مشاهده کننداین وضوح بالا برای مشخصه سازی مواد مغناطیس دائمی ضروری است.که درک رفتار مغناطیسی ظریف در سطح میکروسکوپی برای بهبود عملکرد مواد و توسعه فن آوری های جدید مغناطیسی بسیار مهم است..

میکروسکوپ کر به طور خاص برای آزمایش میدان مغناطیسی قوی طراحی شده است.سیستم های مغناطیسی قوی آن همراه با کنترل دقیق دمای و اپتیک با وضوح بالا آن را به یک بستر ایده آل برای بررسی اثرات مغناطیسی و نوری تبدیل می کند، دینامیک دامنه و سایر پدیده های مغناطیسی در شرایط سخت آزمایشی. محققان متمرکز بر مواد مغناطیس دائمی، این میکروسکوپ را به ویژه ارزشمند خواهند یافت.از آنجا که این امکان را برای توصیف دقیق خواص مغناطیسی فراهم می کند که به طور مستقیم بر عملکرد و قابلیت اطمینان مغناطیس های دائمی مورد استفاده در کاربردهای مختلف صنعتی و تکنولوژیکی تأثیر می گذارد.

به طور خلاصه، میکروسکوپ کر یک ابزار پیشرفته است که به طور یکپارچه تولید میدان مغناطیسی پیشرفته، ثبات درجه حرارت برتر و تصویربرداری نوری با وضوح بالا را ادغام می کند.توانایی انجام آزمایش میدان مغناطیسی قوی، همراه با ویژگی های تخصصی برای توصیف مواد مغناطیس دائمی، آن را به عنوان یک ابزار حیاتی برای تحقیقات پیشرفته در مغناطیس قرار می دهد.چه برای تحقیقات دانشگاهی و چه برای توسعه صنعتی، این میکروسکوپ قابلیت و دقت بی نظیر را برای کشف و درک مواد مغناطیسی در سطح اساسی ارائه می دهد.

ویژگی ها:

• نام محصول: میکروسکوپ کر
• از اثر مغناطیس نوری کر برای تصویربرداری مغناطیسی پیشرفته استفاده می کند
• ثبات دمایی: ±50 MK برای اندازه گیری دقیق
• اهداف در دسترس: 5*، 20*، 50*، 100*، از جمله گزینه های درجه حرارت بالا 50* و غیر مغناطیسی
• میدان مغناطیسی داخل هواپیما که توسط یک آهنربا خنک شده با آب با 3 T در Air Gap 5 mm و 2 T در Air Gap 10 mm فراهم می شود
• رزولوشن میدان مغناطیسی که توسط مقررات بازخورد حلقه بسته PID با وضوح 0.05 mT تضمین شده است
• محدوده دمای متغیر: 298 K تا 798 K برای شرایط آزمایشی متنوع
• شامل یک ابزار مغناطیسی در حال شناور برای افزایش ثبات و دقت
• دارای یک ابزار مغناطیسی مرحله ای شناور با عملکرد بالا برای به حداقل رساندن لرزش و بهبود دقت تصویربرداری

پارامترهای فنی:

کاربردها:

میکروسکوپ KMPL-PM Kerr، که به افتخار در چین ساخته شده است، یک ابزار پیشرفته است که برای اندازه گیری های مغناطیسی دقیق و متنوع در شرایط مختلف طراحی شده است. Its excellent capabilities in high temperature magnetic measurement make it indispensable for research and industrial applications where material properties need to be analyzed at elevated temperatures ranging from 298 K to 798 Kاین محدوده وسیع دمای متغیر به دانشمندان و مهندسان اجازه می دهد تا رفتارهای مغناطیسی را که فقط تحت شرایط حرارتی خاص رخ می دهد، کشف کنند.امکان پیشرفت در علوم مواد و توسعه دستگاه های مغناطیسی.

مجهز به مغناطیس های خنک شده با آب که هم میدان های مغناطیسی درون هواپیما و هم میدان های عمودی را فراهم می کنند،مدل KMPL-PM قدرت میدان مغناطیسی قابل توجهی را ارائه می دهد3 T در یک شکاف هوا 5 میلی متر و 2 T در یک شکاف هوا 10 میلی متر برای زمینه های داخل هواپیمااین ویژگی ها امکان دستکاری و مشاهده دقیق مغناطیسی را فراهم می کنند.که آن را برای آزمایشاتی که نیاز به کنترل دقیق مغناطیسی دارند، ایده آل می کند.لنزهای غیر مغناطیسی، از جمله 5*، 20*، 50*، 100* و لنز 50* با تعویض دمای بالا، میکروسکوپی مغناطیسی با وضوح 450 نانومتری را تسهیل می کنند.برای تصویربرداری ساختارهای کوچک حوزه مغناطیسی با وضوح و دقت ضروری است.

این میکروسکوپ کر به ویژه برای کاربردهای آزمایشگاه های علوم مواد، تحقیقات نیمه هادی و توسعه دستگاه های ذخیره سازی مغناطیسی مناسب است.جایی که درک پدیده های مغناطیسی در مقیاس میکرو و نانو حیاتی استقابلیت میکروسکوپی مغناطیسی با وضوح بالا این ابزار به کاربران اجازه می دهد تا دامنه های مغناطیسی و دیواره های دامنه را با جزئیات استثنایی تجسم کنند.حتی در دمای بالا و میدان های مغناطیسی متغیرعلاوه بر این، طراحی قوی و اپتیک پیشرفته آن را برای کنترل کیفیت معمول و سناریوهای تحقیقاتی پیشرفته مناسب می کند.

از نظر عملی، مدل KMPL-PM به طور گسترده ای در مطالعه فیلم های نازک مغناطیسی، اسپینترونیک،و سایر تحقیقات مواد مغناطیسی که نیاز به اندازه گیری مقناطیسی با دمای بالا و کاربرد دقیق میدان مغناطیسی داردتنوع آن همچنین به موسسات آموزشی گسترش می یابد که در آن به عنوان یک ابزار آموزشی و نمایشی ارزشمند برای دوره های پیشرفته مغناطیس و میکروسکوپی عمل می کند.میکروسکوپ KMPL-PM KERR به عنوان یک میکروسکوپ قدرتمند شناخته می شود.، ابزار قابل اعتماد برای میکروسکوپی مغناطیسی با وضوح بالا در طیف گسترده ای از سناریوهای علمی و صنعتی است.