Плоское магнитное поле 2 T Воздушный зазор 10 мм Наблюдение магнитной области с ПИД-регулятором с обратной связью по замкнутому контуру Разрешение магнитного поля

Описание продукта:

Микроскоп Керра - это передовой инструмент, предназначенный для магнитной микроскопии высокого разрешения, предлагающий непревзойденные характеристики при изучении и анализе магнитных материалов и явлений. Оснащенный полным набором объективов, включая 5*, 20*, 50*, 100*, высокотемпературный компенсированный 50* и немагнитный объектив, этот микроскоп обеспечивает исключительную универсальность для различных экспериментальных требований. Каждый объектив тщательно разработан для обеспечения точных возможностей визуализации, позволяя исследователям наблюдать мельчайшие магнитные структуры с большой четкостью и детализацией.

Одной из выдающихся особенностей этого микроскопа Керра является его впечатляющее оптическое разрешение 450 нанометров (нм). Этот высокий уровень разрешения гарантирует, что даже самые маленькие магнитные домены и незначительные изменения магнитных свойств могут быть визуализированы с высокой точностью. Оптическая система микроскопа оптимизирована для получения четких, высококонтрастных изображений, что необходимо для детального магнитного анализа и исследований.

Микроскоп Керра включает в себя надежную систему вертикального магнитного поля с водяным охлаждением магнита. Этот магнит способен генерировать напряженность магнитного поля до 2 Тесла (Т) при воздушном зазоре 8,5 миллиметров (мм) и 1,3 Т при воздушном зазоре 12 мм. Такие мощные магнитные поля позволяют проводить обширные эксперименты в различных магнитных условиях, что позволяет изучать магнитное поведение в различных материалах с высокой точностью. Система водяного охлаждения обеспечивает стабильную работу магнита, эффективно рассеивая тепло, что имеет решающее значение для поддержания постоянных магнитных полей во время длительных измерений.

Стабильность температуры является еще одним важным аспектом этого прибора, при этом микроскоп Керра поддерживает колебания температуры в пределах ±50 милликельвинов (мК). Этот исключительный температурный контроль жизненно важен для высокотемпературных магнитных измерений, поскольку он предотвращает температурный дрейф, который в противном случае мог бы поставить под угрозу точность и повторяемость результатов эксперимента. Включение высокотемпературного компенсированного объектива 50* дополнительно расширяет возможности этого микроскопа для надежной работы в условиях повышенной температуры, что делает его идеальным для изучения температурно-зависимых магнитных явлений.

Чтобы обеспечить точный контроль над магнитной средой, микроскоп Керра оснащен системой разрешения магнитного поля на основе регулирования с обратной связью по ПИД-регулятору. Этот сложный механизм управления обеспечивает разрешение магнитного поля до 0,05 миллитесла (мТл), гарантируя, что магнитное поле может быть отрегулировано и стабилизировано с исключительной точностью. Такой точный контроль необходим для экспериментов, требующих деликатного манипулирования магнитными полями для исследования тонких эффектов или переходов в магнитных материалах.

Интеграция магнитометрического прибора с воздушной плавающей платформой в установку микроскопа Керра дополнительно расширяет его функциональность и удобство использования. Воздушная плавающая платформа обеспечивает плавное, безвибрационное перемещение и позиционирование образцов, что имеет решающее значение для магнитной микроскопии высокого разрешения. Эта конструкция минимизирует механические возмущения, которые могут ухудшить качество изображения или повлиять на магнитные измерения, тем самым повышая общую надежность и точность прибора.

В заключение, микроскоп Керра сочетает в себе оптику высокого разрешения, мощную и стабильную генерацию магнитного поля, точный контроль температуры и усовершенствованное регулирование магнитного поля, чтобы предоставить современную платформу для магнитных исследований. Его надежные характеристики делают его особенно подходящим для высокотемпературных применений магнитных измерений и детальных исследований, требующих магнитной микроскопии высокого разрешения. Независимо от того, используется ли он для фундаментальных исследований или прикладной науки о материалах, этот прибор предлагает исследователям комплексное и надежное решение для изучения магнитных явлений с непревзойденной четкостью и точностью.

Особенности:

• Название продукта: Микроскоп Керра
• Наблюдение магнитных доменов с использованием магнитооптического эффекта Керра
• Вертикальное магнитное поле: магнит с водяным охлаждением с 2 Тл при воздушном зазоре 8,5 мм и 1,3 Тл при воздушном зазоре 12 мм
• Оптическое разрешение: 450 нм для точной визуализации
• Объективы: 5*, 20*, 50*, 100*, высокотемпературный компенсированный 50* и доступны немагнитные варианты
• Диапазон переменных температур: 298 K - 798 K, подходит для высокотемпературных магнитных измерений
• Разрешение магнитного поля: регулирование с обратной связью по ПИД-регулятору с разрешением 0,05 мТл

Технические параметры:

Применение:

Микроскоп Керра, модель KMPL-PM от Truth Instruments, представляет собой усовершенствованный микроскоп Керра с постоянным магнитом, предназначенный для применения в магнитной микроскопии высокого разрешения. Этот прецизионный прибор, произведенный в Китае, идеально подходит для исследовательских институтов, университетов и промышленных лабораторий, специализирующихся на анализе магнитных материалов и магнитооптических исследованиях. Его способность работать в диапазоне переменных температур от 298 K до 798 K позволяет исследователям исследовать магнитные свойства в различных термических условиях, предоставляя бесценные данные для проектов в области материаловедения и инженерии.

Эта модель микроскопа Керра оснащена сложной системой вертикального магнитного поля с водяным охлаждением, обеспечивающей до 2 Тл при воздушном зазоре 8,5 мм и 1,3 Тл при воздушном зазоре 12 мм. Такая конфигурация необходима для экспериментов, требующих контролируемой и стабильной магнитной среды. Регулирование с обратной связью по ПИД-регулятору обеспечивает разрешение магнитного поля 0,05 мТл, что позволяет точно манипулировать и наблюдать магнитные домены. Этот уровень контроля жизненно важен для передовых исследований в области спинтроники, носителей магнитной информации и разработки магнитных датчиков.

Оснащенный универсальным набором объективов, включая 5*, 20*, 50*, 100* и высокотемпературный компенсированный 50* немагнитный объектив, KMPL-PM предлагает исключительные возможности визуализации. Этот диапазон увеличений поддерживает детальный анализ поверхности и визуализацию доменов в различных масштабах, что делает его подходящим как для образовательных демонстраций, так и для сложных научных исследований. Высокотемпературный компенсированный объектив обеспечивает стабильную оптическую производительность даже при повышенных температурах, повышая надежность результатов магнитной микроскопии высокого разрешения.

Стабильность температуры является критическим фактором в магнитной микроскопии, и микроскоп Керра Truth Instruments превосходит ее с замечательной стабильностью ±50 мК. Эта точность гарантирует, что колебания температуры не поставят под угрозу качество изображения или точность измерений во время длительных экспериментов. Следовательно, KMPL-PM идеально подходит для таких применений, как исследования фазовых переходов в магнитных материалах, характеристика тонких пленок и динамика магнитных доменов при комбинированном термическом и магнитном воздействии.

В заключение, микроскоп Керра с постоянным магнитом KMPL-PM от Truth Instruments - это мощный инструмент для магнитной микроскопии высокого разрешения в различных исследовательских и промышленных сценариях. Его передовые функции, включая широкий диапазон температур, надежное управление магнитным полем и высококачественную оптику, делают его незаменимым для всех, кто стремится исследовать магнитные явления в микромасштабе с исключительной четкостью и точностью.