2025-11-17
Im Bereich der Spintronik und des magnetischen Random-Access-Speichers (MRAM) der nächsten Generation gelten magnetische Skyrmionen aufgrund ihrer einzigartigen topologischen Stabilität und der geringen Stromdichte als Kernkandidaten für den Bau zukünftiger Hochleistungs-Informationsgeräte. Die ...
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