2025-11-17
スピントロニクスと次世代磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)の分野において、磁気スキルミオンは、そのユニークなトポロジカル安定性と低い駆動電流密度から、将来の高性能情報デバイスを構築するための主要な候補と考えられています。しかし、室温条件下で実際のデバイスと互換性のある磁気トンネル接合(MTJ)スタック内で、これらのナノスケール磁気構造を直接観察し、正確に特性評価することは、この分野における主要な課題であり続けています。 最近、AtomEdge Pro原子間力顕微鏡を利用して、複雑なSAF/MgO/[Ta/Co/Pt]9 MTJスタック内で、磁気スキルミオンと迷路ドメインの存在状態の直接的な...
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