میکروسکوپ لزر کر با میدان بالا با دمای پایین میکروسکوپ تصویربرداری منطقه کوچک

توضیحات محصول:

سیستم مایکرو تصویربرداری لیزر کر با میدان مغناطیسی بالا یک ابزار تحقیقاتی پیشرفته است که برای مطالعات کم دمای مغناطیس نوری طراحی شده است.ارائه قابلیت های تصویربرداری با وضوح بالا برای تجزیه و تحلیل دقیق مواد مغناطیسی.

این سیستم با وضوح نوری چشمگیر 450 Nm، به محققان تصاویر دقیق نمونه ها را در سطح نانو ارائه می دهد و امکان بررسی عمیق خواص مغناطیسی را فراهم می کند.

با استفاده از یک آهنربا خنک شده با آب، میدان مغناطیسی درون هواپیما این سیستم به 1T در یک شکاف هوا 18 میلی متر در دمای اتاق می رسد.قدرت میدان مغناطیسی در 0 ثابت است.75 تن با فاصله هوا 28 میلی متر، اطمینان از عملکرد قابل اعتماد در شرایط مختلف آزمایش.

سیستم مایکرو تصویربرداری لیزر کر با میدان مغناطیسی بالا مجهز به تنظیم بازخورد حلقه بسته PID برای کنترل میدان مغناطیسی است که یک وضوح میدان مغناطیسی 0.05 MT را ارائه می دهد.این تنظیم دقیق به محققان امکان می دهد تا پارامترهای میدان مغناطیسی را در طول آزمایشات با دقت دستکاری کنند، اطمینان از نتایج ثابت و قابل اعتماد.

وقتی صحبت از قابلیت های تصویربرداری می شود، این سیستم دارای اندازه نقطه لیزر 5 μm است، که امکان تصویربرداری دقیق و دقیق از نمونه ها را فراهم می کند.تصویربرداری با کیفیت بالا که توسط این سیستم ارائه می شود برای گرفتن جزئیات پیچیده مواد و سازه های مغناطیسی ضروری است.

علاوه بر این، رزولوشن زاویه کر این سیستم 0.5 Mdeg (RMS) چشمگیر است، که اندازه گیری دقیق خواص مغناطیسی را با دقت بالا تضمین می کند.محققان می توانند به این سیستم برای ارائه داده های دقیق و قابل اعتماد برای مطالعات مشخصه سازی مغناطیسی دمای پایین خود اعتماد کنند.

خلاصه،سیستم میکرو تصویربرداری لیزر کر با میدان مغناطیسی بالا به محققان ابزاری قدرتمند برای انجام آزمایش های مغناطیس نوری با دمای پایین با قابلیت تصویربرداری با وضوح بالا ارائه می دهدبا ویژگی های پیشرفته و مکانیسم های کنترل دقیق،اين سيستم براي محققاني که مي خوان با دقت و جزئیات بي نظير، خواص مغناطيسي مواد را در دماي پايين کشف کنند، مناسب است.

ویژگی ها:

• نام محصول: سیستم میکرو تصویربرداری لیزر کر با میدان مغناطیسی بالا
• محدوده دمای متغیر: 4.2 K - 420 K
• نقطه لیزر: 5 μm
• اهداف: 5*، 20*، 50*، 100*، غیر مغناطیسی
• میدان مغناطیسی داخل هواپیما: مغناطیس خنک شده با آب، 1 T@air Gap 18 mm در دمای اتاق؛ 0.75 T@air Gap 28 mm در دمای پایین
• رزولوشن نوری: 450 Nm

پارامترهای فنی:

کاربردها:

سیستم میکرو تصویربرداری لیزر کر با میدان مغناطیسی بالا، مدل KMPL-L،یک محصول پیشرفته طراحی شده برای تصویربرداری دقیق مواد مغناطیسی ضعیف در محیط های مختلف تحقیقاتی و صنعتی است.با وضوح نوری 450 Nm و اندازه نقطه لیزر 5 μm، این سیستم قابلیت های تصویربرداری با وضوح بالا را ارائه می دهد که برای مطالعه ساختارهای مغناطیسی پیچیده بسیار مهم است.

رزولوشن زاویه کر 0.5 Mdeg (RMS) اندازه گیری دقیق خواص مغناطیسی مواد مورد بررسی را تضمین می کند.میدان مغناطیسی عمودی تولید شده توسط آهنربا خنک آب به 1 می رسد.6 T در فاصله هوا 10.5 میلی متر در دمای اتاق و 1 T در فاصله هوا 24 میلی متر در دمای پایین. این ویژگی به محققان اجازه می دهد تا میدان های مغناطیسی را با دقت دستکاری کنند.که آن را برای کاربردهای تصویربرداری مغناطیسی کریوجنیک ایده آل می کند.

این سیستم تصویربرداری پیشرفته که از چین تولید می شود، مجهز به بهترین اندازه گیری های منبع الکتریکی از جمله SR830، Keithley 6221 و Keithley 2182 A است.این ابزارها اندازه گیری های الکتریکی قابل اعتماد و پایدار را تضمین می کنند، بهبود عملکرد کلی سیستم.

سیستم میکرو تصویربرداری لیزر کر با میدان مغناطیسی بالا از ابزارهای حقیقت برای طیف گسترده ای از موارد و سناریوهای کاربرد محصول مناسب است.فیزیک، و مهندسی می تواند از این سیستم برای تجزیه و تحلیل دقیق مواد مغناطیسی ضعیف استفاده کند. قابلیت های تصویربرداری با وضوح بالا آن را به یک ابزار ضروری برای مطالعه حوزه های مغناطیسی تبدیل می کند.دیوار دامنه، و سایر پدیده های مغناطیسی با دقت.

این که آیا در مورد نانومواد های مغناطیسی، فیلم های نازک یا دستگاه های مغناطیسی تحقیق می شود، این سیستم دقت و عملکرد بی نظیر را ارائه می دهد.توانایی آن در کار در دمای کریوجنیک و تولید میدان های مغناطیسی بالا باعث می شود که این یک راه حل متنوع برای محققان کار بر روی مواد و دستگاه های مغناطیسی پیشرفته باشدسیستم مایکرو تصویربرداری لیزر کر با میدان مغناطیسی بالا برای هر آزمایشگاه یا تاسیساتی که نیاز به قابلیت های پیشرفته تصویربرداری مغناطیسی دارند، ضروری است.