0.5 میکروسکوپ Mdeg Kerr دقیق میکروسکوپ کریوجنیک برای تجزیه و تحلیل مواد فلز مغناطیسی دو بعدی

توضیحات محصول:

سیستم مایکرو تصویربرداری لیزر کر با میدان مغناطیسی بالا یک ابزار پیشرفته علمی است که برای محققان و دانشمندان در زمینه نوری مغناطیسی با دمای پایین طراحی شده است..این سیستم پیشرفته قابلیت های بی نظیر را برای اندازه گیری میکرو منطقه کر و اندازه گیری مغناطیس ارائه می دهد و آن را به ابزاری ضروری برای مطالعه مواد مغناطیسی در مقیاس نانو تبدیل می کند.

با ارائه یک رزولوشن میدان مغناطیسی که از طریق تنظیم بازخورد حلقه بسته PID به دست می آید، این سیستم با دقت استثنایی با وضوح 0.05 MT ارائه می دهد.این کنترل بالا به محققان اجازه می دهد تا با دقت بی سابقه ای، خواص مغناطیسی مواد را کنترل و مطالعه کنند، که باعث کشف های پیشرو در زمینه مغناطیس می شود.

محدوده دمای متغیر این سیستم از 4.2 K تا 420 K می باشد که به محققان این امکان را می دهد تا ویژگی های مواد را در طیف گسترده ای از دماها بررسی کنند.چه مطالعه انتقال فاز مغناطیسی و چه اکتشاف رفتار مغناطیسی در دمای شدید، این سیستم انعطاف پذیری مورد نیاز برای انجام مطالعات جامع در کم دمایی مغناطیس نوری را ارائه می دهد.

این سیستم با وضوح نوری 450 نانومتر، تصاویر واضح و دقیق از مناطق کوچک مورد مطالعه را ارائه می دهد. محققان می توانند داده های با کیفیت بالا را با وضوح استثنایی ضبط کنند.اجازه می دهد تا تجزیه و تحلیل دقیق دامنه های مغناطیسی و ساختارهای در مقیاس نانو.

اندازه نقطه لیزر 5 μm اندازه گیری های هدفمند و محلی را تضمین می کند و محققان را قادر می سازد تا مناطق خاص مورد علاقه را در یک نمونه مشخص کنند.این سطح دقت برای اندازه گیری کر منطقه کوچک ضروری است، که در آن تجزیه و تحلیل دقیق مناطق کوچک برای درک خواص مغناطیسی مواد در مقیاس میکروسکوپی بسیار مهم است.

این سیستم مجهز به طیف وسیعی از اهداف از جمله 5*، 20*، 50* و 100* گزینه های بزرگنمایی است.حذف هرگونه تداخل از میدان های مغناطیسی خارجی و اطمینان از نتایج دقیق و قابل اعتماد اندازه گیریمحققان می توانند هدف مناسب را بر اساس نیازهای خاص آزمایشات خود انتخاب کنند.اجازه می دهد تا تحقیقات سفارشی و متناسب با خواص مغناطیسی مواد انجام شود.

ویژگی ها:

• نام محصول: سیستم میکرو تصویربرداری لیزر کر با میدان مغناطیسی بالا
• اهداف:
  • 5x
  • 20x
  • پنجاه برابر
  • 100x
  • غیر مغناطیسی
• رزولوشن میدان مغناطیسی: مقررات بازخورد حلقه بسته PID، رزولوشن 0.05 MT
• ثبات دمایی: ±50 MK
• محدوده دمای متغیر: 4.2 K - 420 K
• رزولوشن نوری: 450 Nm

پارامترهای فنی:

کاربردها:

سیستم میکرو تصویربرداری لیزری کر با میدان مغناطیسی بالا مدل KMPL-L، یک محصول نوآورانه از چین است.اين سيستم به طور خاص براي تحقيقات و تحليل هاي پيشرفته در زمينه ميکروسکوپي کم دماي کر طراحی شده.

ویژگی های منحصر به فرد این سیستم شامل یک آهنربا خنک شده با آب است که می تواند میدان های مغناطیسی درون هواپیما را از 1 T@air gap 18 mm در دمای اتاق و 0.75 T@air gap 28 mm در دمای پایین تولید کند.علاوه بر این، قابلیت های میدان مغناطیسی عمودی شامل 1.6 T@air gap 10.5 mm در دمای اتاق و 1 T@air gap 24 mm در دمای پایین است.

محققان که با مواد مغناطیسی ضعیف کار می کنند، سیستم میکرو تصویربرداری لیزر کر با میدان مغناطیسی بالا را برای توانایی های اندازه گیری دقیق میکرو منطقه کر بسیار ارزشمند خواهند یافت.این سیستم با اندازه گیری منابع الکتریکی مانند SR830 سازگار است.، Keithley 6221، و Keithley 2182 A، اطمینان از جمع آوری داده های دقیق و قابل اعتماد.

این که آیا مطالعه حوزه های مغناطیسی در محیط های دمای پایین و یا تجزیه و تحلیل رفتار نانوذرات مغناطیسی، این سیستم ارائه می دهد عملکرد بی نظیر و دقت.رزولوشن زاویه کر از 0.5 Mdeg (RMS) امکان تصویربرداری دقیق و با وضوح بالا را فراهم می کند، که آن را برای طیف گسترده ای از کاربردهای تحقیقاتی ایده آل می کند.