logo
الهاتف: +86-532-89267428 البريد الإلكتروني: tangzhongjie@truth-instruments.com
جودة مجهر كير ذو المجال المغناطيسي العالي نظام MOKE ذو الحساسية العالية للمغناطيسية الضعيفة ودراسة المواد ثنائية الأبعاد مصنع
جودة مجهر كير ذو المجال المغناطيسي العالي نظام MOKE ذو الحساسية العالية للمغناطيسية الضعيفة ودراسة المواد ثنائية الأبعاد مصنع

مجهر كير ذو المجال المغناطيسي العالي نظام MOKE ذو الحساسية العالية للمغناطيسية الضعيفة ودراسة المواد ثنائية الأبعاد

High Sensitivity MOKE For Weak Magnetism And 2D Material Study Product Description: With a variable temperature range spanning from 4.2 K to 420 K, researchers have the flexibility to study a wide range of materials under different thermal conditions. This broad temperature range is ideal for investigating the properties of weak magnetic materials at low temperatures, providing valuable insights into their behavior and magnetic responses. One of the key features of this
العلامات:

مجهر تأثير كير الضوئي المغناطيسي,مجهر عالي الدقة,نظام تصوير كير

المجهر الكبير للكير المغناطيسي,مجهر كير عالي الحساسية,نظام MOKE عالي الحساسية

Kerr Imaging System
تفاصيل المنتج
إبراز:

المجهر الكبير للكير المغناطيسي,مجهر كير عالي الحساسية,نظام MOKE عالي الحساسية

,

High Sensitivity Kerr Microscope

,

High Sensitivity MOKE System
Name: مجهر كير
Kerr Angle Resolution: 0.5 MDEG (RMS)
Vertical Magnetic Field: المغناطيس المبرد بالمياه ، 1.6 T@AIR GAP 10.5 مم في درجة حرارة الغرفة ؛ 1 T@AIR GAP 24 مم عند درجة ح
Optical Resolution: 450 نانومتر
Variable Temperature Range: 4.2 K - 420 K
In-Plane Magnetic Field: المغناطيس المبرد بالماء ، 1 T@AIR GAP 18 مم في درجة حرارة الغرفة ؛ 0.75 T@AIR GAP 28 مم عند درجة حرا
Temperature Stability: ± 50 MK
Electrical Source Meter: SR830 ، Keithley 6221 ، Keithley 2182 a
Objectives: 5 × ، 20 × ، 50 × ، 100 × ، غير مغناطيسي

الخصائص الأساسية

الاسم التجاري: Truth Instruments
رقم الطراز: kmpl-l

تداول العقارات

سعر: Price Negotiable | Contact us for a detailed quote
شروط الدفع: ر/ر
وصف المنتج

حساسية عالية لـ MOKE لدراسة المغناطيسية الضعيفة والمواد ثنائية الأبعاد

وصف المنتج:

مع نطاق درجة حرارة متغيرة يمتد من 4.2 كلفن إلى 420 كلفن، يتمتع الباحثون بالمرونة اللازمة لدراسة مجموعة واسعة من المواد في ظل ظروف حرارية مختلفة. يعتبر نطاق درجة الحرارة الواسع هذا مثاليًا لدراسة خصائص المواد المغناطيسية الضعيفة في درجات الحرارة المنخفضة، مما يوفر رؤى قيمة حول سلوكها واستجاباتها المغناطيسية.

إحدى الميزات الرئيسية لهذا النظام هي قدرته على المجال المغناطيسي في المستوى. مجهزًا بمغناطيس يبرد بالماء، يمكن للنظام توليد مجال مغناطيسي يبلغ 1 تسلا عند فجوة هوائية تبلغ 18 مم في درجة حرارة الغرفة. في درجات الحرارة المنخفضة، تظل قوة المجال المغناطيسي مثيرة للإعجاب عند 0.75 تسلا مع فجوة هوائية تبلغ 28 مم. تضمن دقة المجال المغناطيسي العالية البالغة 0.05 MT، والتي يتم تحقيقها من خلال تنظيم التغذية الراجعة ذات الحلقة المغلقة PID، التحكم الدقيق وقياس المجالات المغناطيسية أثناء التجارب.

بالإضافة إلى قدرات المجال المغناطيسي في المستوى، يوفر النظام أيضًا وظيفة المجال المغناطيسي الرأسي. يمكن للمغناطيس المبرد بالماء أن ينتج مجالًا مغناطيسيًا رأسيًا يبلغ 1.6 تسلا عند فجوة هوائية تبلغ 10.5 مم في درجة حرارة الغرفة، مما يوفر للباحثين القدرة على دراسة المواد المغناطيسية في اتجاهات متعددة. في درجات الحرارة المنخفضة، تظل قوة المجال المغناطيسي الرأسي كبيرة عند 1 تسلا مع فجوة هوائية تبلغ 24 مم، مما يسمح بإجراء تحقيقات شاملة للمجال المغناطيسي عبر نطاقات درجات حرارة مختلفة.

سيستفيد الباحثون والعلماء الذين يعملون في مجال المغناطيسية ذات درجة الحرارة المنخفضة بشكل كبير من الميزات المتقدمة والتحكم الدقيق الذي يوفره نظام التصوير المجهري بالليزر كير ذو المجال المغناطيسي العالي المبرد. سواء أكان الأمر يتعلق بدراسة الخصائص المغناطيسية للمواد الجديدة، أو التحقيق في التحولات الطورية المغناطيسية، أو استكشاف هياكل المجال المغناطيسي، فإن هذا النظام يوفر الأدوات والقدرات اللازمة لإجراء أبحاث رائدة في مجال المغناطيسية ذات درجة الحرارة المنخفضة.

 

الميزات:

  • اسم المنتج: نظام التصوير المجهري بالليزر كير ذو المجال المغناطيسي العالي المبرد
  • دقة زاوية كير: 0.5 Mdeg (RMS)
  • نطاق درجة الحرارة المتغيرة: 4.2 كلفن - 420 كلفن
  • دقة المجال المغناطيسي: تنظيم التغذية الراجعة ذات الحلقة المغلقة PID، الدقة 0.05 MT
  • استقرار درجة الحرارة: ±50 MK
  • الدقة البصرية: 450 نانومتر
 

المعلمات الفنية:

مقياس المصدر الكهربائي SR830، Keithley 6221، Keithley 2182 A
استقرار درجة الحرارة ±50 MK
نطاق درجة الحرارة المتغيرة 4.2 كلفن - 420 كلفن
دقة زاوية كير 0.5 Mdeg (RMS)
بقعة الليزر 5 μm
المجال المغناطيسي في المستوى مغناطيس مبرد بالماء، 1 تسلا عند فجوة هوائية 18 مم في درجة حرارة الغرفة؛ 0.75 تسلا عند فجوة هوائية 28 مم في درجة الحرارة المنخفضة
الأهداف 5*، 20*، 50*، 100*، غير مغناطيسي
الدقة البصرية 450 نانومتر
المجال المغناطيسي الرأسي مغناطيس مبرد بالماء، 1.6 تسلا عند فجوة هوائية 10.5 مم في درجة حرارة الغرفة؛ 1 تسلا عند فجوة هوائية 24 مم في درجة الحرارة المنخفضة
دقة المجال المغناطيسي تنظيم التغذية الراجعة ذات الحلقة المغلقة PID، الدقة 0.05 MT
 

التطبيقات:

مناسبات وسيناريوهات تطبيق المنتج لنظام التصوير المجهري بالليزر كير ذو المجال المغناطيسي العالي المبرد:

إن نظام التصوير المجهري بالليزر كير ذو المجال المغناطيسي العالي المبرد KMPL-L من Truth Instruments، والذي نشأ من الصين، هو أداة متطورة مصممة لتطبيقات البحث المتقدمة في قياسات المغناطيسية الضوئية وقياس المغنطة ذات درجة الحرارة المنخفضة.

بفضل دقة بصرية استثنائية تبلغ 450 نانومتر ومجموعة من الأهداف بما في ذلك 5*، 20*، 50*، 100*، وغير مغناطيسية، يوفر هذا النظام إمكانات تصوير دقيقة لمجموعة متنوعة من الدراسات العلمية.

يتيح نطاق درجة الحرارة المتغيرة من 4.2 كلفن - 420 كلفن للباحثين إجراء التجارب في درجات الحرارة المنخفضة للغاية، مما يجعله مثاليًا للتحقيق في المواد والظواهر التي تظهر خصائص فريدة في ظل هذه الظروف.

مزودًا بحجم بقعة ليزر يبلغ 5 μm ومجال مغناطيسي في المستوى يتم إنشاؤه بواسطة مغناطيس مبرد بالماء، يوفر النظام تصويرًا عالي الجودة والتحكم في المجال المغناطيسي لإجراء تحليل مفصل.

يمكن للباحثين استخدام المجال المغناطيسي 1 تسلا عند فجوة هوائية 18 مم في درجة حرارة الغرفة والمجال المغناطيسي 0.75 تسلا عند فجوة هوائية 28 مم في درجة الحرارة المنخفضة لدراسة تأثيرات المجالات المغناطيسية المتغيرة على العينات المختلفة بدقة.

بشكل عام، يعد نظام التصوير المجهري بالليزر كير ذو المجال المغناطيسي العالي المبرد KMPL-L من Truth Instruments أداة متعددة الاستخدامات يمكن تطبيقها في إعدادات بحثية متنوعة، مثل فيزياء المادة المكثفة، وأبحاث المواد المغناطيسية، وتكنولوجيا النانو، حيث يكون التصوير الدقيق والتلاعب بالمجال المغناطيسي في درجات الحرارة المنخفضة أمرًا ضروريًا.

أرسل استفسارًا

احصل على عرض أسعار سريع