میکروسکوپ کر با میدان مغناطیسی بالا، سیستم MOKE با حساسیت بالا برای مغناطیسی ضعیف و مطالعه مواد دو بعدی

توضیحات محصول:

با طیف دمایی متغیر از 4.2 K تا 420 K، محققان انعطاف پذیری زیادی برای مطالعه طیف گسترده ای از مواد در شرایط حرارتی مختلف دارند.این محدوده وسیع دما برای بررسی خواص مواد مغناطیسی ضعیف در دمای پایین ایده آل است، ارائه بینش ارزشمند در رفتار و پاسخ های مغناطیسی آنها.

یکی از ویژگی های اصلی این سیستم قابلیت میدان مغناطیسی درون هواپیما استاین سیستم می تواند یک میدان مغناطیسی 1T را در فاصله 18 میلی متر در دمای اتاق تولید کند.در دمای پایین، قدرت میدان مغناطیسی در 0.75T با فاصله 28 میلی متر با شدت میدان مغناطیسی 0.05MT،به دست آمده از طریق تنظیم بازخورد حلقه بسته PID، کنترل دقیق و اندازه گیری میدان های مغناطیسی را در طول آزمایشات تضمین می کند.

علاوه بر قابلیت های میدان مغناطیسی درون هواپیما، این سیستم همچنین قابلیت های میدان مغناطیسی عمودی را نیز ارائه می دهد.6T در یک فاصله هوایی 10.5 میلی متر در دمای اتاق، فراهم کردن محققان با توانایی مطالعه مواد مغناطیسی در جهت گیری های متعدد. در دمای پایین،قدرت میدان مغناطیسی عمودی در 1T با شکاف هوا 24 میلی متر قابل توجه است، اجازه می دهد تا تحقیقات جامع میدان مغناطیسی را در محدوده های دمای مختلف انجام دهد.

Researchers and scientists working in the field of low-temperature magnetism will benefit greatly from the advanced features and precise control offered by the Cryogenic High-Magnetic-Field Laser Kerr Microimaging Systemچه مطالعه خواص مغناطیسی مواد جدید، بررسی انتقال فاز مغناطیسی، یا کشف ساختار دامنه مغناطیسی،اين سيستم ابزارها و توانايي هاي مورد نياز براي انجام تحقيقات پيشگامانه در زمينه مغناطيس درجه حرارت پايين را فراهم مي کند.

ویژگی ها:

• نام محصول: سیستم میکرو تصویربرداری لیزر کر با میدان مغناطیسی بالا
• رزولوشن زاویه کر: 0.5 Mdeg (RMS)
• محدوده دمای متغیر: 4.2 K - 420 K
• رزولوشن میدان مغناطیسی: مقررات بازخورد حلقه بسته PID، رزولوشن 0.05 MT
• ثبات دمایی: ±50 MK
• رزولوشن نوری: 450 Nm

پارامترهای فنی:

کاربردها:

موارد و سناریوهای کاربرد محصول برای سیستم میکرو تصویربرداری لیزر کر با میدان مغناطیسی بالا:

ابزارهای حقیقت KMPL-L سیستم میکرو تصویربرداری لیزر با میدان مغناطیسی بالا کریوجنیک کر از چینیک ابزار پیشرفته طراحی شده برای کاربردهای تحقیقاتی پیشرفته در کمد حرارت Magneto-Optics و اندازه گیری مغناطیس است.

با وضوح نوری استثنایی از 450 Nm و طیف وسیعی از اهداف از جمله 5*، 20*، 50*، 100* و غیر مغناطیسی،این سیستم قابلیت های تصویربرداری دقیق را برای مطالعات مختلف علمی ارائه می دهد..

محدوده دمای متغیر 4.2 K - 420 K محققان را قادر می سازد آزمایشات را در دمای بسیار پایین انجام دهند.که آن را برای بررسی مواد و پدیده هایی که در چنین شرایطی خواص منحصر به فرد را نشان می دهند، ایده آل می کند..

این سیستم مجهز به یک نقطه لیزری با اندازه 5 میکرومتر و یک میدان مغناطیسی درون هواپیما است که توسط یک آهنربا خنک شده با آب تولید می شود و تصویربرداری با کیفیت بالا و کنترل میدان مغناطیسی را برای تجزیه و تحلیل دقیق فراهم می کند.

محققان می توانند از میدان مغناطیسی 1 T@air gap 18 mm در دمای اتاق و 0.75 T@air gap میدان مغناطیسی 28 میلی متری در دمای پایین برای مطالعه اثرات میدان های مغناطیسی متفاوت بر نمونه های مختلف با دقت.

به طور کلی، ابزار حقیقت KMPL-L سیستم میکرو تصویربرداری لیزر کر با میدان مغناطیسی بالا یک ابزار همه کاره است که می تواند در محیط های تحقیقاتی متنوع مورد استفاده قرار گیرد،مثل فیزیک ماده فشرده، تحقیقات مواد مغناطیسی و فناوری نانو، که تصویربرداری دقیق و دستکاری میدان مغناطیسی در دمای پایین ضروری است.