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Strumento per anello di isteresi a livello di wafer - Sistema di misurazione wafer non distruttivo

Wafer-Level Hysteresis Loop Measurement Instrument Product Introduction Using polar/longitudinal magneto-optical Kerr effects (MOKE), this instrument rapidly and globally detects the magnetism of wafer films. Non-contact measurement avoids wafer damage and is suitable for post-patterning sample testing in spin chip production. It provides a vertical magnetic field of up to 2.5 T and an in-plane magnetic field of up to 1.4 T, with strong magnetic fields inducing free and
Dettagli del prodotto
Evidenziare:

Strumento per anello di isteresi a livello di wafer

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Sistema di misurazione wafer non distruttivo

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Strumento per anello di isteresi non distruttivo

Name: Strumento ad anello di isteresi
Uptime: 90%
Magnetic Field Uniformity: Meglio di ± 1%@φ1 mm
EFEM: Opzionale
Sample Size: Compatibile con 12 pollici e inferiore, supporta il test dei frammenti
Magnetic Field Resolution: Regolamento di feedback a circuito chiuso PID, 0,01 mt
Testing Functions: Misurazione del ciclo di isteresi non distruttivo di pile/dispositivi magnetici, estrazione automati
Testing Efficiency: 12 wph@±1.3 t /9 siti misurazione /wafer da 200 mm
Sample Repeatability: Meglio di 10 μm

Proprietà di base

Luogo di origine: Cina
Marchio: Truth Instruments
Numero di modello: MOKE WABER

Proprietà Commerciali

Prezzo: Price Negotiable | Contact us for a detailed quote
Condizioni di pagamento: T/t
Descrizione di prodotto
Strumento di Misura del Ciclo di Isteresi a Livello di Wafer
Introduzione al Prodotto

Utilizzando gli effetti magneto-ottici di Kerr polari/longitudinali (MOKE), questo strumento rileva rapidamente e globalmente il magnetismo dei film su wafer. La misurazione senza contatto evita danni al wafer ed è adatta per i test dei campioni post-patterning nella produzione di chip a spin. Fornisce un campo magnetico verticale fino a 2,5 T e un campo magnetico in-plane fino a 1,4 T, con forti campi magnetici che inducono il ribaltamento dello strato libero e di riferimento negli stack di film di memoria ad accesso casuale (MRAM) con anisotropia verticale magnetica. L'altissima sensibilità di rilevamento di Kerr consente la caratterizzazione singola di sottili cambiamenti magnetici in diversi strati di film. La combinazione di probing laserpoint-by-point con l'imaging a scansione consente la rapida creazione di mappe globali delle caratteristiche magnetiche del wafer, aiutando l'ottimizzazione del processo e il controllo della resa.

Prestazioni dell'Equipaggiamento
Indicatore di Prestazione dell'Equipaggiamento Descrizione
Dimensione del Campione Compatibile con 12 pollici e inferiori, supporta test di frammenti
Campo Magnetico Verticale ±2,4 T; In-plane ±1,3 T
Risoluzione del Campo Magnetico Regolazione a retroazione PID a circuito chiuso, 0,01 mT
Uniformità del Campo Magnetico Migliore di ±1%@Φ1 mm
Risoluzione dell'Angolo di Kerr 0,3 mdeg (RMS)
Efficienza dei Test 12 WPH@±1,3 T /9 misurazioni siti/wafer da 200 mm
Ripetibilità del Campione Migliore di 10 μm
Tempo di Funzionamento 90%
EFEM Opzionale
Funzioni di Test Misurazione non distruttiva del ciclo di isteresi di stack/dispositivi di film magnetici, estrazione automatica delle informazioni del ciclo di isteresi (Hc, Hex, M (valore dell'angolo di Kerr) dello strato libero e dello strato bloccato) e mappatura rapida della distribuzione delle caratteristiche magnetiche del wafer
Casi Applicativi
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