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ウェーハレベルヒステリシスループ測定装置 非破壊ウェーハ測定システム

Wafer-Level Hysteresis Loop Measurement Instrument Product Introduction Using polar/longitudinal magneto-optical Kerr effects (MOKE), this instrument rapidly and globally detects the magnetism of wafer films. Non-contact measurement avoids wafer damage and is suitable for post-patterning sample testing in spin chip production. It provides a vertical magnetic field of up to 2.5 T and an in-plane magnetic field of up to 1.4 T, with strong magnetic fields inducing free and
製品詳細
ハイライト:

ウェーハレベルヒステリシスループ測定装置

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非破壊ウェーハ測定システム

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非破壊ヒステリシスループ測定装置

Name: ヒステリシスループ機器
Uptime: 90%
Magnetic Field Uniformity: ±1%@φ1mmよりも優れています
EFEM: オプション
Sample Size: 12インチ以下と互換性があるため、フラグメントテストをサポートしています
Magnetic Field Resolution: PID閉ループフィードバック規制、0.01 mt
Testing Functions: 磁気スタック/デバイスの非破壊ヒステリシスループ測定、ヒステリシスループ情報の自動抽出(自由層とピン留め層HC、HEX、M(KERR角度))、およびウェーハ磁気特性分布の迅速なマッピング
Testing Efficiency: 12 wph@±1.3 t /9サイト測定 /200 mmウェーハ
Sample Repeatability: 10μmよりも優れています

基本的な特性

原産地: 中国
ブランド名: Truth Instruments
モデル番号: ウェーハ - ミーク

取引物件

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支払条件: T/T
製品の説明
ウェーハレベルヒステリシスループ測定装置
製品紹介

偏光/縦磁気光学カー効果(MOKE)を利用して、この装置はウェーハフィルムの磁性を迅速かつグローバルに検出します。非接触測定によりウェーハの損傷を回避し、スピンチップ製造におけるパターン形成後のサンプルテストに適しています。最大2.5 Tの垂直磁場と最大1.4 Tの面内磁場を提供し、強力な磁場は垂直異方性磁気アクセスランダムメモリ(MRAM)フィルムスタック内の自由層と参照層の反転を誘発します。超高カー検出感度により、異なるフィルム層における微妙な磁気変化のシングルタイム特性評価が可能になります。レーザーポイントバイポイントプロービングとスキャンイメージングを組み合わせることで、ウェーハの磁気特性マップを迅速に作成し、プロセス最適化と歩留まり管理を支援します。

装置性能
装置性能指標 説明
サンプルサイズ 12インチ以下に対応、フラグメントテストをサポート
磁場 垂直±2.4 T; 面内±1.3 T
磁場分解能 PID閉ループフィードバック制御、0.01 mT
磁場均一性 ±1%@Φ1 mmより優れている
カー角分解能 0.3 mdeg (RMS)
テスト効率 12 WPH@±1.3 T /9サイト測定/200 mmウェーハ
サンプル再現性 10 μmより優れている
稼働率 90%
EFEM オプション
テスト機能 磁性膜スタック/デバイスの非破壊ヒステリシスループ測定、ヒステリシスループ情報の自動抽出(自由層および固定層Hc、Hex、M(カー角値))、およびウェーハ磁気特性分布の迅速なマッピング
アプリケーション事例
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