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Instrumento de Loop de Histerese em Nível de Bolacha Sistema de Medição de Bolacha Não Destrutivo

Wafer-Level Hysteresis Loop Measurement Instrument Product Introduction Using polar/longitudinal magneto-optical Kerr effects (MOKE), this instrument rapidly and globally detects the magnetism of wafer films. Non-contact measurement avoids wafer damage and is suitable for post-patterning sample testing in spin chip production. It provides a vertical magnetic field of up to 2.5 T and an in-plane magnetic field of up to 1.4 T, with strong magnetic fields inducing free and
Detalhes do produto
Destacar:

Instrumento de Loop de Histerese em Nível de Bolacha

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Sistema de Medição de Bolacha Não Destrutivo

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Instrumento de Loop de Histerese Não Destrutivo

Name: Instrumento de loop de histerese
Uptime: 90%
Magnetic Field Uniformity: Melhor que ± 1%a φ1 mm
EFEM: Opcional
Sample Size: Compatível com 12 polegadas e abaixo, suporta testes de fragmento
Magnetic Field Resolution: Regulação de feedback de circuito fechado PID, 0,01 mt
Testing Functions: Medição de loop de histerese não destrutiva de pilhas/dispositivos magnéticos, extração automática d
Testing Efficiency: 12 wph@daDunes
Sample Repeatability: Melhor que 10 μm

Propriedades básicas

Lugar de origem: CHINA
Nome da marca: Truth Instruments
Número do modelo: Wafer-Moke

Propriedades comerciais

Preço: Price Negotiable | Contact us for a detailed quote
Condições de pagamento: T/T.
Descrição do produto
Instrumento de medição do circuito de histerese a nível de wafer
Introdução ao produto

Usando efeitos magnéto-ópticos de Kerr polares/longitudinais (MOKE), este instrumento detecta rapidamente e globalmente o magnetismo de filmes de wafer.A medição sem contato evita danos na wafer e é adequada para testes de amostras após padronização na produção de chips de rotação- fornece um campo magnético vertical de até 2,5 T e um campo magnético no plano de até 1,4 T,com campos magnéticos fortes que induzem a reviravolta de camadas livres e de referência em pilhas de filme de memória aleatória de acesso magnético (MRAM) anisotrópica verticalmenteA sensibilidade de detecção de Kerr ultra-alta permite a caracterização de mudanças magnéticas sutis em diferentes camadas de filme.A combinação de sondagem laser ponto a ponto com imagens de digitalização permite a criação rápida de mapas globais de características magnéticas de wafer, auxiliando na otimização dos processos e no controlo do rendimento.

Desempenho do equipamento
Indicador de desempenho do equipamento Descrição
Tamanho da amostra Compatível com 12 polegadas e abaixo, suporta testes de fragmentos
Campo magnético Vertical ± 2,4 T; In-plane ± 1,3 T
Resolução do campo magnético Regulação de feedback de circuito fechado PID, 0,01 mT
Uniformidade do campo magnético Melhor que ± 1%@Φ1 mm
Resolução do ângulo de Kerr 0.3 mdeg (RMS)
Teste de eficácia 12 WPH@±1,3 T /9 locais de medição/200 mm de wafer
Repetibilidade da amostra Melhor que 10 μm
Tempo de funcionamento 90%
EFEM Opcional
Funções de ensaio Medição não destrutiva do circuito de histerese de filmes magnéticos, extração automática das informações do circuito de histerese (camada livre e camada fixa Hc, Hex, M (valor do ângulo de Kerr)e mapeamento rápido da distribuição das características magnéticas das placas
Casos de aplicação
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