Wafer-Level-Hystereseschleifen-Messgerät für zerstörungsfreie Wafer-Messung

Name: Wafer-Level-Hystereseschleifen-Messgerät für zerstörungsfreie Wafer-Messung
Brand: Truth Instruments Co., Ltd.
SKU: Wafer-Moke
Availability: InStock

Wafer-Level Hysteresis Loop Measurement Instrument Product Introduction Using polar/longitudinal magneto-optical Kerr effects (MOKE), this instrument rapidly and globally detects the magnetism of wafer films. Non-contact measurement avoids wafer damage and is suitable for post-patterning sample testing in spin chip production. It provides a vertical magnetic field of up to 2.5 T and an in-plane magnetic field of up to 1.4 T, with strong magnetic fields inducing free and

Umbauten:

Magneto-Optisches Kerr-Effekt Mikroskop

Hochauflösendes Mikroskop

Kerr-Bildgebungssystem

Produktdetails

Hervorheben:

Wafer-Level-Hystereseschleifen-Messgerät

Zerstörungsfreies Wafer-Messsystem

Zerstörungsfreies Hystereseschleifen-Messgerät

Name: Hysterese -Schleifeninstrument

Uptime: 90%

Magnetic Field Uniformity: Besser als ± 1%@φ1 mm

EFEM: Optional

Sample Size: Kompatibel mit 12 Zoll und darunter unterstützt Fragmenttests

Magnetic Field Resolution: PID Closed-Loop Feedback Regulation, 0,01 mt

Testing Functions: Nicht-zerstörerische Hysterese-Schleifenmessung von Magnetstapeln/-geräten, automatische Extraktion

Testing Efficiency: 12 wph@ ± 1.3 T /9 Stellen Messung /200 mm Wafer

Sample Repeatability: Besser als 10 μm

Grundlegende Eigenschaften

Herkunftsort: CHINA

Markenbezeichnung: Truth Instruments

Modellnummer: Wafer-Moke

Immobilienhandel

Preis: Price Negotiable | Contact us for a detailed quote

Zahlungsbedingungen: T/t

Produkt-Beschreibung

Messgerät für die Hysterese-Schleife auf Waferebene

Produkteinführung

Mit Hilfe von polaren/längsgleichen magnetoptischen Kerr-Effekten (MOKE) erkennt dieses Instrument schnell und global den Magnetismus von Waferfolien.Die Berührungslose Messung verhindert Waferschäden und eignet sich für Probenprüfungen nach der Musterung in der Spin-Chip-ProduktionEr erzeugt ein vertikales Magnetfeld von bis zu 2,5 T und ein Magnetfeld in der Ebene von bis zu 1,4 T.mit starken magnetischen Feldern, die freie und Referenzschichtwechsel in vertikal anisotropen Magnetzugangs-Zufallsspeicher (MRAM) -Filmstapeln induzierenDie ultrahohe Kerr-Erkennungsempfindlichkeit ermöglicht die einmalige Charakterisierung subtiler magnetischer Veränderungen in verschiedenen Filmlagen.Durch die Kombination von Laser-Punkt-für-Punkt-Sondern mit Scanning-Bildgebung können rasch globale magnetische Karten der Waferkartikel erstellt werden, die Prozessoptimierung und Ertragskontrolle unterstützen.

Leistung der Ausrüstung

Leistungsindikator der Ausrüstung	Beschreibung
Stichprobengröße	Kompatibel mit 12-Zoll und unter, unterstützt Fragment-Tests
Magnetfeld	Vertikal ±2,4 T; in der Ebene ±1,3 T
Auflösung des Magnetfeldes	PID-Rückkopplungsregelung in geschlossener Schleife, 0,01 mT
Einheitlichkeit des Magnetfeldes	Besser als ± 1%@Φ1 mm
Auflösung des Kerr-Winkels	0.3 mdeg (RMS)
Effizienzprüfung	12 WPH@±1,3 T /9 Standortmessung/200 mm Wafer
Probenwiederholbarkeit	Besser als 10 μm
Betriebszeit	90%
EFEM	Zusätzlich
Prüffunktionen	Nichtzerstörerische Messung der Hysterese-Schleife von magnetischen Filmstapeln/Geräten, automatische Extrahierung der Hysterese-Schleife (freie Schicht und angeschlossene Schicht Hc, Hex, M (Wert des Kerr-Winkels)),und schnelle Kartierung der magnetischen Eigenschaften der Waferverteilung