Инструмент гистерезисной петли уровня пластины Неразрушительная система измерения пластины

Name: Инструмент гистерезисной петли уровня пластины Неразрушительная система измерения пластины
Brand: Truth Instruments Co., Ltd.
SKU: Пластинка
Availability: InStock

Wafer-Level Hysteresis Loop Measurement Instrument Product Introduction Using polar/longitudinal magneto-optical Kerr effects (MOKE), this instrument rapidly and globally detects the magnetism of wafer films. Non-contact measurement avoids wafer damage and is suitable for post-patterning sample testing in spin chip production. It provides a vertical magnetic field of up to 2.5 T and an in-plane magnetic field of up to 1.4 T, with strong magnetic fields inducing free and

Бирки:

Микроскоп с магнитооптическим эффектом Керра

Микроскоп высокого разрешения

Система Керр-изображения

Детали продукта

Выделить:

Инструмент гистерической петли на уровне пластины

Система измерения неразрушающих пластин

Инструмент неразрушающей гистерезы

Name: Инструмент петли гистерезиса

Uptime: 90%

Magnetic Field Uniformity: Лучше, чем ± 1%@φ1 мм

EFEM: Необязательный

Sample Size: Совместим с 12-дюймовым и ниже, поддерживает тестирование фрагментов

Magnetic Field Resolution: Правила обратной связи с замкнутой петлей, 0,01 тонн.

Testing Functions: Неразрушительное измерение петли гистерезиса магнитных стеков/устройств, автоматическое извлечение и

Testing Efficiency: 12 wph@ 3.3 т /9 измерение сайтов /200 мм пластины

Sample Repeatability: Лучше 10 мкм

Основные свойства

Место происхождения: КИТАЙ

Наименование марки: Truth Instruments

Номер модели: Пластинка

Торговая недвижимость

Цена: Price Negotiable | Contact us for a detailed quote

Условия оплаты: T/T.

Характер продукции

Измерительный прибор для измерения петель гистерезиса на уровне пластин

Введение в продукт

Используя полярный/продольный магнитооптический эффект Керра (MOKE), этот прибор быстро и глобально обнаруживает магнетизм пленочных пластин. Бесконтактное измерение позволяет избежать повреждения пластин и подходит для тестирования образцов после нанесения рисунка в производстве спиновых чипов. Он обеспечивает вертикальное магнитное поле до 2,5 Т и поле в плоскости до 1,4 Т, при этом сильные магнитные поля вызывают переворот свободного и опорного слоев в вертикально анизотропной магнитной памяти с произвольным доступом (MRAM). Сверхвысокая чувствительность обнаружения по Керру позволяет однократную характеризацию тонких магнитных изменений в различных слоях пленки. Сочетание зондирования лазерной точкой за точкой со сканированием изображений позволяет быстро создавать карты глобальных магнитных характеристик пластин, помогая оптимизировать процесс и контролировать выход продукции.

Производительность оборудования

Показатель производительности оборудования	Описание
Размер образца	Совместим с 12-дюймовыми и меньшими, поддерживает фрагментное тестирование
Магнитное поле	Вертикальное ±2,4 Т; В плоскости ±1,3 Т
Разрешение магнитного поля	Регулировка с обратной связью PID, 0,01 мТ
Равномерность магнитного поля	Лучше, чем ±1%@Φ1 мм
Разрешение угла Керра	0,3 мград (RMS)
Эффективность тестирования	12 WPH@±1,3 Т /9 измерений на площадке/200 мм пластина
Повторяемость образца	Лучше, чем 10 μм
Время безотказной работы	90%
EFEM	Дополнительно
Функции тестирования	Неразрушающее измерение петель гистерезиса магнитных пленочных стеков/устройств, автоматическое извлечение информации о петле гистерезиса (Hc, Hex, M (значение угла Керра) свободного слоя и закрепленного слоя) и быстрое отображение распределения магнитных характеристик пластин